インプラント関連ニュース｜2008年08月21日02時14分

インプラントに関する2008年08月21日02時14分のニュースページです。

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IBM、22ナノメートルプロセスによるSRAMセルを発表
毎日新聞 Japan -Aug182008
IBMによると、新セルの開発ではバンド端の高誘電率（High-k）メタルゲートスタック、ゲート長が25ナノメートルを切るトランジスタ、薄いスペーサー、新しいコインプラント、先端的アクティベーション技術、極薄のシリサイド、ダマシン銅接続といった技術要素が用い
(2008年08月21日02時14分のニュース)

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